CoolMOS介紹

發(fā)布日期：2020-07-08 瀏覽：18666

CoolMOS介紹

CoolMOS也就是super junction MOS，是沿用了英飛凌的名稱，稱為超結(jié)MOS管可能更為恰當(dāng)。在過去的二十年，MOSFET主要用作開關(guān)器件，得到了長足的發(fā)展，由于它是多子器件，有相對較小的開關(guān)損耗，但其通態(tài)功耗較高，要降低通態(tài)功耗，導(dǎo)通電阻受擊穿電壓限制無法再下降而存在一個極限，被稱為“硅限（Silicon Limit）”，CoolMOS的超結(jié)結(jié)構(gòu)打破了硅限，相對于傳統(tǒng)技術(shù)，在相同的芯片面積上，導(dǎo)通電阻降低了80%-90%，并且具有高開關(guān)速度。

CoolMOS基本原理

對于高壓VDMOS，漂移區(qū)電阻展器件總電阻的比例達(dá)到96%，為了開發(fā)高壓低功率的MOSFET，Infineon在1998年提出了Super Junction結(jié)構(gòu)，電子科技大學(xué)陳星弼院士的專利稱其為復(fù)合緩沖層的CoolMOS，其主要特點是在漂移區(qū)內(nèi)采用重?fù)诫s的PN相間的結(jié)構(gòu)代替?zhèn)鹘y(tǒng)VDMOS低摻雜的漂移區(qū)。當(dāng)器件反向阻斷時，這些PN相間的緩沖層產(chǎn)生一個橫向電場，會促進(jìn)重?fù)诫s的P型和N型漂移區(qū)耗盡，當(dāng)電壓達(dá)到一定值后，漂移區(qū)完全耗盡，起到電壓支撐的作用；由于采用重?fù)诫s的N型漂移區(qū)，器件導(dǎo)通時電子通道在N型區(qū)域內(nèi)流通，使其導(dǎo)通電阻大大降低，進(jìn)而改善器件導(dǎo)通電阻與器件耐壓之間的關(guān)系，CoolMOS的Rdson 越比傳統(tǒng)MOS 小很多。

圖1 傳統(tǒng)MOS與CoolMOS的BV、Ron關(guān)系圖

合芯半導(dǎo)體采用CoolMOS芯片技術(shù)（ SJ MOS）采用華虹第二代超結(jié)工藝，利用溝槽填充刻蝕工藝技術(shù)制作超結(jié)P柱區(qū)域，其性能 Trench SJ MOS結(jié)參數(shù)跟Infineon Cool MOS 接近, 但是Infineon Cool MOS 用的是EPI 層層堆疊，如圖2所示，溝槽刻蝕工藝技術(shù)所需面積更窄，導(dǎo)通電阻更低。

圖2 SJ MOS、CoolMOS和傳統(tǒng)MOS結(jié)構(gòu)

CoolMOS產(chǎn)品特性

下表為合芯半導(dǎo)體選用Trench SJ MOS芯片結(jié)構(gòu)與CoolMOS以及傳統(tǒng)MOS結(jié)構(gòu)的部分性質(zhì)對比，另外此處的雪崩指的是總雪崩能量, 若是比單位面積下的雪崩, 則與Cool MOS差異不大，合芯半導(dǎo)體采用的Trench SJ MOS芯片通過精確控制電荷, 有效增加良率, 降低成本。

	Trench SJ MOS	Multi EPI Cool MOS	Standard MOS
單位面積內(nèi)Rdson	更低	低	高
電容	低	低	高
Trr	低	低	高
Qg	低	低	高
反應(yīng)速度	快	快	慢
雪崩（EAS）	低	低	高
Die Cost	高	高	低
封裝	可用小封裝	可用小封裝	大
市場價格	高	高	低
生產(chǎn)良率	更低	低	高
廠商	（Toshiba，西格瑪，NEC）	（Infineon，F(xiàn)airchild,Rohm）	非常多

表 Trench SJ MOS、CoolMOS和傳統(tǒng)MOS的對比

CoolMOS應(yīng)用

超結(jié)VDMOS應(yīng)用領(lǐng)域廣闊，是中小功率領(lǐng)域內(nèi)主流的半導(dǎo)體開關(guān)器件，主要應(yīng)用在開關(guān)電源、不間斷電源(UPS)、工業(yè)自動化、計算機(jī)、手機(jī)、照相機(jī)、電動汽車、汽車電子等領(lǐng)域的電源管理、開關(guān)等。